SJ 20842-2002 砷化镓表面砷镓比的测试方法
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ID： |
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文件大小(MB)： |
0.53 |
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页数： |
5 |
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文件格式： |
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日期： |
2024-7-27 |
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华人民共和国电子行业军用标灌,FL 5971 SJ 20842—2002,础化钱表面钱珅比的测试方法,Test method fbr Ga/As ratio of surface of gallium arsenide,2002-10-30 发布2003-0371 实施,中华人民共和国信息产业部批准,1范围,中华人民共和国电子行业军用标准,珅化钱表面镒碎比的测试方法,Test method for Ga/As ratio of surface of gallium arsenide,M主题内容,SJ 20842—2002,本标准规定了碑化铁材料表面镂珅比的X好筋电工熊谱的试验方法,L2适用范围 取がパ艷%昔道麝%,本标准适用于监测碎化傢器件創造屬貶膈裏爺!赛确.— 装面铁碑比的影响,也适用于,晶片加工中的各种表面处笔，!義;聳号ンー"i'jfく软憑 、,2引用文件 Z ヽ,後,SJ/T 10458-1993俄歇里 能谱术和X射线光电子能谱术的样品处理标准导则% SS10714ー咻检友哺^^^特性的实施标锌、,法 teaい」,tai,3定义,吋,37术语,3.1.1 X射线光若电子熊单父常丒。…ヽ“-…*，匸へ,"--一 針、、アヨa 」,用窄带特征发射线耦照庠晶￡测量样品灸您憊子能髀布谱的联篇测量濠度为九纳米,…Q J継論! wi !談海糕 tew !小! 3. L 2谱峰强塵pm inten^tyf^i k瓢!3孫女 ア壊微 Z丒j在ざ,谱峰信号强推的量な。谪觀對殺光肢澹能飾直強度類gw蜂河喙姪面积?Zゼ./,3 .-元素灵敏喇爲齣in *iシ/「ッ,在原子处于均匀环淼浒K葉元素的谱峰强度与作为标准元素的谱峰愚型お强度的相对比值,X铲;叫、 ^ ノ,4 一般要求 スペザb、% + ノ1潺./,1ヾj—VT,理Hン',すセm「為や当ラ%*',ー 却 ー 31,47测量的标准大气条件,a.环境温度:18ヒ.25ヒ;そル,氏相对湿度:40%.80%ロ,4.2测量环境条件,实验室应防尘、洁净,无机械冲击和振动，无电磁干扰,5详细要求,沁;ウ,噫,5.1方法提要,当X光照射样品时,会使原子内层电子光致发射或俄歇发射，把发射的电子引入能量分析器，可,以探测经过能量分析器的电子,但只有靠近表面区域的电子才能被探测到,记录并输岀ー个与电子能量,中华人民共和国信息产业部200270-30发布2003T)3T)1 实施,SJ 20842—2002,成函数的信号,便得到电子能谱。而谱峰强度与元素含量相关,通过测量所测元素的谱峰强度,可以计,算出其相对含量.,5.2仪器,5.2.1 仪器构成,X射线光电子能谱仪的基本组成部分如图1所示,超髙真空系统,样品,A,能量分析話,激发源探测器,ー r_____,数据采集及处理系统,?图1 X射线光电子能谱仪的构成框图,5.2.2仪器性能要求,所用仪器应按照SJfT 10714-96中第3条进行检定,并达到该标准第5条规定的要求,5. 3测量程序,5. 3.1样品的制备及传递应按照SJ/T 10458T3中的第5条和第6条的要求进行操作,5.3.2 将待测样品装入系统预抽室抽真空,达到规定要求后,送入分析室,5.3.3 设定仪器参数包括:所用激发源（MgKユ或A1K。）、能量分析器通过能、扫描次数及步长等,对同一仪器,以后的测试条件应保持一致,5. 3.4用惰性气体离子（如氫离子）轰击清洁样品表面,使Ch谱峰强度下降为As3d谱峰强度的50%,以下,5.3.5在30 eV至50 eV之间记录A63d谱,要进行足够次数的扫描,使谱峰强度达到5000记数以上,（扣除背底）,5. 3. 6在10 eV至30 eV之间记录Ga3d谱，要进行足够次数的扫描,使谱峰强度达到5000记数以上,（扣除背底）,5. 3. 7在相同条件下重复三次5.3.5和5.3,6的测量,57 4结果处理,5.4.1 画岀或在计算机上调出5.3.5至5.3,7中测得的As3d和Ga3d谱图.,5.4.2 确定谱峰两端的端点,扣除背底,计算峰面积即为谱峰强度,注:扣除背底的方法有多种,但对同一仪器应始终保持一致.,2,SJ 20842—2002,5. 4. 3用三次测量得到的As3d和Ga3d谱峰强度分别计算出各自的算术平均值目,5.4.4确定元素灵敏度因子,如有标样可用同一仪器进行测量,一般选用仪器厂商提供的灵敏度因子,且要在以后的测量中保持一致』,5. 4.5 按下列公式计算Ga和As的相对原子浓度:,エ=,I」兄,Z亿阳）,X100%,式中,Cx—X元素的相对原子浓度,凯一％；,厶ーーX元素的峰强度,记数曲,* ヌ元素的灵敏度因子;,样品中某种元素,5. 4.6 由Ga和As的相对原寸,5. 5测试报告 ?,测试报告应包括如下内容;,a.,b.,C.,山,样品来源及编号f,所用测量仪孰选用军数;,测试单位岫作者;/,仇,5.6精密度,本方法相对,塩3潔,財1梱,ざ喚ツヾ成,キ冰丒、,表面緑叫比僖ハブ義,测试日财メザ/製ホド,伙）供口坐ケ卷，然裝:浮,卜?关ダ^0丒,卡簷丒温奉漬吟?承漆?,I %式心SttSlW負,附加说明:,臂.吟や,賓四d,扁加,本标准由信息产也邨电字第図期究所归口 0,本标准由信息产业ホ吴莹嗡四卜 六研究所负责起草,本标准起草人:任殿屉エ段曙光潭誓前底へ罵如岳3パ,计划项目代号;B05002ロ,七三ホホ,1,3,Z 0 0 T Z 寸8 O Z,つS,中华人民共和国,电子行业军用标准,神化钱表面钱神比的测试方法,SJ 20842—2002,中国电子技术标准化研究所……
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